SK海力士开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品

钛媒体App 5月22日消息,SK海力士宣布,公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时,成功将产品厚度从1mm减薄至0.85mm,使其能够适配超薄智能手机。

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